工业气体在国家标准《常用危险物理品的分类及标志》（-1992）中，一般被划为第2类压缩气体和液化气体。这类物理品系指压缩、液化或加压溶化的气体。气体经加压或减低室温，可以使气体分子间的距离大大缩小而被压入气瓶中，这些气体称为压缩气体（俗称为永久气体，如氢气、氮气、氩气、氢气等）。对压缩气体继续加压，适当降温，压缩气体都会弄成液体的，称为液化气体（如二氯甲烷、液氨、液体甲烷等）。据悉，还有一种性质极为不稳定的气体，加压后需溶于溶剂中储存在气瓶内，这些气体称为溶化气体（如溶化甲烷等）。科普|工业气体的14种分类你都晓得了么？
1.特种气体(gases)：指这些在特定领域中应用的,对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混和气。特种气体门类繁杂,一般可分辨为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等,广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属炼钢、热力工程、生化、环境检测、医学研究及确诊、食品保鲜等领域。
2、标准气体(gases)：标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值确切的测定标准,它们具有复现、保存和传递量值的基本作用,在数学、化学、生物与工程检测领域中用于校对([准检测仪器和检测过程,评价检测方式的确切度和测量实验室的监测能力,确定材料或产品的特点量值,进行量值仲裁等。小型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业,在装置驾车、停车和正常生产过程中须要几十种纯气和几+百种多组分标准混和气,拿来校正、定标生产过程中使用的在线剖析仪器和剖析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境检测,有毒的有机物检测,车辆排放气测试,天然气BTU检测,液化石油气校准标准,超临界流体工艺等。标准气视气体组分数分辨为二元、三元和多元标准气体;配气准度要求以配气允差和剖析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的最低含量为10-6级,组分数可多达20余种配制方式可采用重量法,之后用色谱剖析校核,也可按标准传递程序进行传递。
3、电子气体(gases)：半导体工业用的气体合称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和刻蚀工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按含量等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。
4.稀有气体(RareGases)：元素周期表最后一族的六种惰性气体中的任何一种气体,即氦、氖、氩、氪、氙、氡。前五种气体均可以空气分离方式从空气中提取。
5.点焊保护气体(Gases)：气体保护焊因为具有点焊质量好,效率高,易实现手动化等优点而得以迅速发展。点焊保护气体可以是单元气体,也有二元、三元混和气。采用点焊保护气的目的在于提升熔池质量,降低熔池加热作用带长度,防止材质氧化。单元气体有乙炔、二氧化碳,二元混和气有氩和氧,氩和氧气,氩和氦,氩和氢混和气。三元混和气有氦、氩、二氧化碳混和气。应用中视焊条不同选择不同配比的点焊混和气。
6.刻蚀气体(gases)：刻蚀就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等刻蚀掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存出来,这样便在基片表面得到所须要的成像图形。刻蚀的基本要求是,图形边沿整齐,腰线清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。刻蚀形式有干法物理刻蚀和湿法物理刻蚀。湿法刻蚀所用气体称刻蚀气体,一般多为氯化物气体,比如四氟化碳、三氯化氮、六氟丙酮、全氟乙烷、三氟乙烷等。湿法刻蚀因为刻蚀方向性强、工艺控制精确、方便、无起皱现象、无基片损伤和浸蚀,所以其应用范围日渐广泛。
7.熏蒸气体(Gases)：具有灭菌作用的气体称熏蒸气体。常用的气体品种有醇酸丙酮、磷烷、溴丁烷、溴甲醛、环氧乙烷等。其杀菌原理是借助烷化作用,使微生物组织内维持生命不可缺乏的物质惰化。最常常使用的是以不环比例配制的醇酸甲烷和氯气的混和气,依照用途不同,醇酸甲烷的浓度可以是10%、20%和30%等。也可采用醇酸甲烷和冷媒12的混和气,醇酸甲烷与冷媒11和冷媒12的混和气等。灭菌疗效与各组分含量、温度、湿度、时间和压力等诱因有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗用具、化妆品原料、动物草料、粮食、纸钞、香辣
8.参杂气体(Gases)：在半导体元件和集成电路制造中,将某种或个别杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所须要的导电类型和一定的内阻率,拿来制造PN结、电阻、埋层等。参杂工艺所用的气体参杂源被称为参杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氯化磷、五溴化磷、三氯化砷、五氯化砷、三氟化硼和乙硼烷等。一般将参杂源与运载气体(如氢气和氦气)在源柜中混和,混和后气流连续流入扩散炉二环绕晶圆四周,在晶圆表面沉积上化合物参杂剂,因而与硅反应生成参杂金属而徙动步入硅。
9.离子注入气(Gasesfor)：离子注入是把离子化的杂质,比如P+、B+、As+加速到高能量状态,之后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制Vth(阀值电流)方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过检测离子束电压而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气,有磷系、硼系和砷系气体。
10.非液化气体(Gases)：压缩气体根据于一定压力和湿度下在钢瓶中的化学状态和沸点范围可以分辨为两大类,即液化气体和非液化气体。非液化气体系指除溶化在氨水中的气体之外,在2111℃和瓶装压力下完全是气态的气体。也可定义为在正常地面气温和13789～压力下不液化的气体。
11.液化气体(Gases)：在2111℃和瓶装压力下部份液化的气体。或定义为在正常体温和～压力下在钢瓶中液化的气体。压缩气体(Gases)压缩气体是指在2111℃下,在钢瓶中绝对压力超过的任何气体或混和物;或与2111℃下的压力无关,于5414℃下绝对压力超过的任何气体或混和物;或于3718℃下气体绝对压力超的任何液体。
12.外延气体(gases)：在仔细选择的衬底上采用物理液相淀积(CVD)的方式生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即酸酐、二氯二氢硅、三氯氢硅和四溴化硅,主要用于外延硅淀积,砷化镓淀积,淀积氧化硅膜,淀积渗碳硅膜,太阳电瓶和其他光体会器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶硅材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的内阻率常常与衬底不同。
13.低压液化气体(LowGases)：临界气温小于70℃的气体。分辨为不燃无毒和不燃有毒、酸性腐蚀性气体;易燃无毒和易燃有毒、酸性腐蚀性气体;易分解或聚合的易燃气体。这种气体在充装时以及在容许的工作气温下贮藏和使用过程中均为液态。包括的气体品种有一氟乙烷、二氟氯乙烷、二氟乙烷、二氟溴氯乙烷、三氟氯甲烷、四氟苯基丙酮、五氟氯甲烷、八氟环丙烷、六氟丙烯、氯、三氟化硼、光气、氟化氢、溴化氢、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丁烷、丙烯、正丙醇、异丙醇、1-二溴、异丁烯、顺-2-二溴、反-2-二溴、R142b、R143a、R152a、氯甲烷、二甲酯、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲酰氯、硫化氢、氯乙烷、溴丁烷、砷烷、1,3—烯烃、氯乙烯、环氧丙烷、乙烯基苯酚、溴乙烯。
14.高压液化气体(HighGases)：临界气温小于或等于-10℃且大于或等于70℃的气体。分辨为不燃无毒和不燃有毒气体;易燃无毒和起火有毒气体;易分解或聚合的易燃气体。这种气体充装时为液态,但在容许的工作湿度下贮藏和使用过程中其蒸气压随气温的下降而下降,超过临界气温时蒸发为气体。所包括的气体品种有一氧化二氮、二氧化碳、三氟乙烷、三氟氯乙烷、三氟溴丁烷、六氟丙酮、六氯化硫、氙、氯化氢、乙烷、乙烯、1,1-二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。

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